সৌর প্যানেল সম্পর্কিত জ্ঞান

সৌর প্যানেল সম্পর্কিত জ্ঞান

প্রথমত, সৌর কোষ বিদ্যুৎ উৎপাদনের নীতি: সৌর কোষগুলি এমন এক জোড়া যন্ত্র যা আলোর প্রতি সাড়া দেয় এবং বিদ্যুতের মধ্যে হালকা শক্তি রূপান্তর করে। এমন অনেক ধরণের উপকরণ রয়েছে যা ফোটোভোলটাইক প্রভাব তৈরি করতে পারে, যেমন: মনোক্রিস্টালিন সিলিকন, পলিক্রাইস্ট্যালাইন সিলিকন, অ্যামফিউস সিলিকন, গ্যালিয়াম আর্সেডাইড, সেলেনিয়াম ইডিয়াম তামার, এবং পছন্দ। তাদের বিদ্যুৎ উৎপাদন নীতি মূলত একই, এবং স্ফটিক শক্তি প্রজন্মের প্রক্রিয়াটি এখন একটি উদাহরণ হিসাবে একটি স্ফটিক গ্রহণ করে বর্ণনা করা হয়। পি-টাইপ ক্রিস্টালিন সিলিকন একটি পিএন জংশন তৈরি করতে এন-টাইপ সিলিকন পাওয়ার জন্য ফসফরাস দিয়ে ডপ করা হয়। যখন আলোক সৌর কোষের পৃষ্ঠাকে আলোকিত করে, তখন ফোটনগুলির অংশটি সিলিকন উপাদান দ্বারা শোষিত হয়; ফোটনগুলির শক্তিটি সিলিকন পরমাণুতে স্থানান্তরিত হয়, যার ফলে ইলেক্ট্রনগুলি সরাতে পারে এবং বহিরাগত সার্কিট চালু হওয়ার সময় PN জংশনের উভয় পাশে বিনামূল্যে ইলেকট্রন জমা হয়। এই সময়ে, এই ভোল্টেজের ক্রিয়া অনুসারে, একটি বর্তমান আউটপুট শক্তি উৎপন্ন করতে একটি বাহ্যিক সার্কিটের মাধ্যমে প্রবাহিত হবে। এই প্রক্রিয়ার সারাংশ বৈদ্যুতিক শক্তিতে ফোটন শক্তিকে রূপান্তর করার প্রক্রিয়া।

দ্বিতীয়, polycrystalline সিলিকন সৌর কোষ এবং monocrystalline সিলিকন সৌর কোষ মধ্যে কোন পার্থক্য নেই। পলিক্রিস্ট্যালাইন সিলিকন সৌর কোষ এবং মনোক্রিস্ট্যালিন সিলিকন সৌর কোষগুলির জীবন এবং স্থায়িত্ব খুব ভাল। যদিও মনোোক্রিস্ট্যালিন সিলিকন সৌর কোষগুলির গড় রূপান্তর দক্ষতা বহুবচন স্টিলিক সৌর কোষগুলির গড় রূপান্তর দক্ষতার তুলনায় প্রায় 1% বেশি, যদিও সৌর কোষ রচনা করার সময় মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন সৌর কোষগুলি কেবল চতুর্ভুজ-স্কোয়ারে (চারটি শীর্ষে রয়েছে) তৈরি করা যেতে পারে মডিউলগুলি যখন এলাকার একটি অংশ ভরা হয় এবং পলিক্রাইস্ট্যালিন সিলিকন সৌর কোষ বর্গক্ষেত্র হয়, সেখানে কোন সমস্যা নেই, সুতরাং সৌর কোষের মডিউলটির দক্ষতা একই।

উপরন্তু, দুটি সৌর কোষের উপকরণের উত্পাদন প্রক্রিয়া ভিন্ন হওয়ার কারণে, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন সৌর কোষের উত্পাদন প্রক্রিয়াতে ব্যবহৃত শক্তিটি মনোোক্রিস্ট্যালিন সিলিকন সৌর কোষের চেয়ে প্রায় 30% কম।

একক স্ফটিক সিলিকন ব্যাটারি উচ্চ ব্যাটারি রূপান্তর দক্ষতা এবং ভাল স্থিতিশীলতা আছে, কিন্তু খরচ উচ্চ। 20 বছর আগে ২0% এরও বেশি ফোটোইলেট্রিক রূপান্তর দক্ষতার কারিগরি বাধা মাধ্যমে মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন কোষগুলি ভেঙ্গে গেছে।

পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন কোষগুলির খরচ কম, এবং রূপান্তর দক্ষতা ক্রোক্রলস্কি সিলিকন সৌর কোষগুলির চেয়ে সামান্য কম। শস্যের সীমানা, বিস্ফোরণ, ক্ষুদ্র ত্রুটি এবং পদার্থের অভাব যেমন কার্বন ও অক্সিজেন এবং প্রক্রিয়া দূষণের মতো বিভিন্ন ধরণের ত্রুটি। স্থানান্তর ধাতুটি polycrystalline সিলিকন কোষের photoelectric রূপান্তর হারের জন্য গেটওয়ে বলে মনে করা হয় না 20% অতিক্রম।

Monocrystalline সিলিকন সৌর কোষ বৈশিষ্ট্য: 1. উচ্চ ছবির রূপান্তর দক্ষতা এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা; 2. ফিল্ম জুড়ে রূপান্তর দক্ষতা অভিন্নতা নিশ্চিত করার জন্য উন্নত বিস্তার প্রযুক্তি; 3. ব্যাটারিটির পৃষ্ঠায় উন্নত পিইসিভিডি ফিল্ম গঠন প্রযুক্তি ব্যবহার করে এটি ইউনিফর্ম রঙ এবং সুন্দর চেহারা সহ একটি গভীর নীল সিলিকন নাইট্রাইড বিরোধী প্রতিফলন চলচ্চিত্রের সাথে লেপযুক্ত। 4. উচ্চ মানের ধাতু পেস্ট ভাল পরিবাহিতা নিশ্চিত করার জন্য ফিরে ক্ষেত্র এবং ইলেক্ট্রোড করতে ব্যবহৃত হয়। Polycrystalline সিলিকন একক স্ফটিক সিলিকন আঁকা জন্য একটি কাঁচামাল হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে, এবং polycrystalline সিলিকন এবং একক স্ফটিক সিলিকন মধ্যে পার্থক্য প্রধানত শারীরিক বৈশিষ্ট্য প্রকাশ করা হয়। উদাহরণস্বরূপ, যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য, অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্যগুলির অ্যানিসোট্রপির পরিপ্রেক্ষিতে, এটি মনোক্রিস্ট্যালিন সিলিকন তুলনায় অনেক কম উচ্চারিত হয়; বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যের পরিপ্রেক্ষিতে, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন স্ফটিকগুলি মনোক্রিস্ট্যালিন সিলিকন তুলনায় অনেক কম পরিবাহী এবং এমনকি কম পরিবাহিতাও থাকে। রাসায়নিক কার্যকলাপের পরিপ্রেক্ষিতে, দুটি মধ্যে পার্থক্য অত্যন্ত ছোট। Polycrystalline সিলিকন এবং একক স্ফটিক সিলিকন চেহারা একে অপরের থেকে আলাদা করা যেতে পারে, কিন্তু সত্য সনাক্তকরণ স্ফটিক সমতল অভিযোজন, পরিবাহিতা টাইপ, এবং প্রতিরোধ ক্ষমতা বিশ্লেষণ দ্বারা নির্ধারিত করা আবশ্যক। সরবরাহ স্বল্প সরবরাহ এবং উন্নয়ন সম্ভাবনা খুব বিস্তৃত। এই কারণে, অনেকেই বলছেন যে যেকোনও মাস্টার্স পলিসিলিকন এবং মাইক্রোইলেট্রনিক্স প্রযুক্তি বিশ্বকে আয়ত্ত করবে।

তৃতীয়, সিরিজ আউটপুট ভোল্টেজ বৃদ্ধি করতে পারে, এবং সমান্তরাল আউটপুট বর্তমান প্রদান করতে পারেন। এটি একটি সিরিজ-সমান্তরাল পদ্ধতি দ্বারা অর্জন করা হয়, উদাহরণস্বরূপ: 10 amps এ 220 ভোল্টের প্রয়োজন হয়। 0.5 ভোল্ট 5 এমপি আউটপুট 880 প্যানেল ব্যবহার করে প্রথম গ্রুপ হিসাবে সিরিজে 440 টি, তারপর দ্বিতীয় গ্রুপ, এবং তারপর সমান্তরালে দুটি গোষ্ঠী ব্যবহার করে 220 ভোল্ট 10 এমপি আউটপুট পেতে পারে।

চতুর্থ, সৌর প্যানেল স্ট্যান্ডার্ড টেস্টিং

সৌর প্যানেল স্ট্যান্ডার্ড পরীক্ষা পদ্ধতি সৌর প্যানেল স্ট্যান্ডার্ড পরীক্ষা পদ্ধতি সৌর প্যানেল স্ট্যান্ডার্ড পরীক্ষা পদ্ধতি সৌর প্যানেল স্ট্যান্ডার্ড পরীক্ষা পদ্ধতি (সিমুলেশন সৌর আলো)

1. ওপেন সার্কিট ভোল্টেজ: 500W টংস্টেন হ্যালোজেন ল্যাম্প, 0 ~ 250 ভি এসি ট্রান্সফরমার ব্যবহার করুন, হালকা তীব্রতা 3.8 ~ 4.0 মিলিয়ন LUX সেট করা হয়েছে, বাতি এবং পরীক্ষার প্ল্যাটফর্মের মধ্যবর্তী দূরত্ব প্রায় 15-20CM, এবং সরাসরি পরীক্ষা মূল্য খোলা বর্তনী ভোল্টেজ হয়;

2. শর্ট-সার্কিট বর্তমান: 500W টিংস্টেন হ্যালোজেন ল্যাম্প, 0 ~ 250 ভি এসি ট্রান্সফরমার ব্যবহার করুন, হালকা তীব্রতা 3.8 ~ 4.0 মিলিয়ন LUX সেট করা হয়েছে, বাতি এবং পরীক্ষা প্ল্যাটফর্মের মধ্যে দূরত্ব প্রায় 15-20CM এবং সরাসরি পরীক্ষা মান সংক্ষিপ্ত বর্তনী বর্তমান হয়;

3. ওয়ার্কিং ভোল্টেজ: 500W টংস্টেন হ্যালোজেন বাতি ব্যবহার করুন, 0 ~ 250 ভি এসি ট্রান্সফরমার, হালকা তীব্রতা 3.8 ~ 4.0 মিলিয়ন LUX সেট করা হয়েছে, বাতি এবং পরীক্ষা প্ল্যাটফর্মের মধ্যে দূরত্ব প্রায় 15-20CM, এবং ইতিবাচক এবং নেতিবাচক মেরু সমান্তরাল সংযুক্ত করা হয়। প্রতিরোধ, (প্রতিরোধের মান গণনা: আর = ইউ / আমি), পরীক্ষা মান কাজ ভোল্টেজ হয়;

4. বর্তমান কাজ: 500W টংস্টেন হ্যালোজেন বাতি ব্যবহার করুন, 0 ~ 250 ভি এসি ট্রান্সফরমার, হালকা তীব্রতা 3.8 ~ 4.0 মিলিয়ন LUX সেট করা হয়েছে, বাতি এবং পরীক্ষার প্ল্যাটফর্মের মধ্যে দূরত্ব প্রায় 15-20CM, এবং সংশ্লিষ্ট প্রতিরোধের সংযুক্ত সিরিজ, (প্রতিরোধের মান গণনা: R = U / I), পরীক্ষা মূল্য অপারেটিং বর্তমান।