উপাদান ব্যান্ড প্রস্থ

1. উপাদান ব্যান্ড প্রস্থ:

ব্যান্ড প্রস্থ হিসাবে খোলা সার্কিট ভোল্টেজ ইউওসি বৃদ্ধি পায় যেমন বৃদ্ধি পায়, কিন্তু অন্য দিকে, শর্ট সার্কিট বর্তমান ঘনত্ব ব্যান্ড প্রস্থ হিসাবে হ্রাস হয় এবং বৃদ্ধি পায়। ফলস্বরূপ, এটি একটি নির্দিষ্ট সময়ে সৌর কোষ দক্ষতা একটি শিখর থাকতে অনুকূল হতে পারে। সৌর কোষগুলি 1.21.6 ইভি মানের EG মান সহ উপকরণ থেকে তৈরি করা হয় যা সর্বাধিক দক্ষতা অর্জনের প্রত্যাশিত। থিন-ফিল্ম সেমিকন্ডাক্টরগুলি সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরগুলির জন্য পছন্দসই, যা পৃষ্ঠের কাছাকাছি ফটোগুলিকে শোষণ করে।

2. তাপমাত্রা:

সংখ্যালঘুদের সম্প্রসারিত দৈর্ঘ্য তাপমাত্রার বৃদ্ধির সাথে সামান্য বৃদ্ধি পেয়েছে, তাই ছবির উত্পাদিত বর্তমান তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথেও বৃদ্ধি পায়, কিন্তু তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে ইউওসি হ্রাস পায়। পূরণ ফ্যাক্টর হ্রাস, তাই রূপান্তর দক্ষতা বৃদ্ধি তাপমাত্রা সঙ্গে হ্রাস।

3. বিবর্তন:

অনাক্রম্যতা বৃদ্ধি হিসাবে, শর্ট সার্কিট বর্তমান রৈখিকভাবে বৃদ্ধি এবং সর্বাধিক ক্ষমতা বৃদ্ধি। সৌর কোষে সূর্যকে আলোকিত করা একটি ছোট সৌর কোষকে প্রচুর শক্তি উৎপন্ন করতে দেয়।

4. ডোপিং ঘনত্ব:

ইউওসি উপর একটি উল্লেখযোগ্য প্রভাব আছে আরেকটি ফ্যাক্টর অর্ধপরিবাহী ডোপিং ঘনত্ব হয়। উচ্চতর doping ঘনত্ব, উচ্চ UOC। যাইহোক, যখন সিলিকন মধ্যে अशुद्धতা ঘনত্ব 1018 / সেমি 3 এর চেয়ে বেশি, এটি উচ্চ ডোপিং বলা হয়। উচ্চ ডোপিংয়ের কারণে ব্যান্ডের ফাঁক সংকোচন, অমেধ্যগুলির অসম্পূর্ণ ionization এবং জীবদ্দশায় হ্রাসগুলি যৌথভাবে উচ্চ ডোপিং প্রভাব হিসাবে উল্লেখ করা হয় এবং এড়ানো উচিত। ।

5. ফোটোজেনেটেড ক্যারিয়ার যৌগিক জীবন:

সৌর কোষের সেমিকন্ডাক্টরগুলির জন্য, দীর্ঘতর যৌক্তিক বাহকগুলির যৌগিক জীবনকাল, বৃহত্তর শর্ট সার্কিট বর্তমান। দীর্ঘ জীবন অর্জনের চাবিকাঠি উপাদান প্রস্তুতি এবং ব্যাটারি উত্পাদনের সময় পুনর্মিলন কেন্দ্র গঠনের এড়াতে হয়। প্রক্রিয়াকরণের সময়, উপযুক্ত এবং প্রায়শই প্রাসঙ্গিক প্রক্রিয়া চিকিত্সা যৌগিক কেন্দ্রকে সরাতে পারে এবং জীবন প্রসারিত করতে পারে।

6. সারফেস recombination হার:

নিম্ন পৃষ্ঠ পুনর্বিবেচনার হার ISC বৃদ্ধি করতে সহায়তা করে এবং সামনে পৃষ্ঠের পুনর্বিবেচনা হার পরিমাপ করা কঠিন। এটি প্রায়শই ধরে নেওয়া হয় যে একটি অসীম ধরনের ব্যাটারি ব্যাক-ফিল্ড (বিএসএফ) বলা হয় যা ধাতব যোগাযোগ জমা দেওয়ার আগে সেলের পিছনে ছড়িয়ে পড়তে পারে। পি + একটি অতিরিক্ত স্তর একটি স্তর।

7. সিরিজ প্রতিরোধক এবং ধাতু গ্রিড লাইন:

সিরিজ প্রতিরোধের সীসা, ধাতু যোগাযোগ গ্রিড বা ব্যাটারি শরীরের প্রতিরোধের থেকে প্রাপ্ত হয়, যখন ধাতু গ্রিড লাইন সূর্যালোক স্বচ্ছ হয় না। আইসিসি সর্বাধিক করার জন্য, ধাতু গেট লাইন দ্বারা দখল করা এলাকা কম করা উচিত। সাধারণত, ধাতু গ্রিড লাইনটি ঘন এবং পাতলা আকারে তৈরি হয়, যা সিরিজ প্রতিরোধের কমাতে পারে এবং ব্যাটারিটির হালকা সংক্রমণ এলাকা বৃদ্ধি করে।

8. suede ব্যাটারি নকশা ব্যবহার করুন এবং উচ্চ মানের বিরোধী প্রতিফলন ফিল্ম নির্বাচন করুন:

পৃষ্ঠ পিরামিড পিরামিড গঠন উপর নির্ভর করে, আলোর একাধিক প্রতিফলন শুধুমাত্র প্রতিফলন ক্ষতি হ্রাস না, কিন্তু অপটিক্যাল সিলিকন অগ্রগতি দিক পরিবর্তন এবং অপটিক্যাল পাথ প্রসারিত, ফোটোজেনেটেড বাহক উত্পাদন ফলন বৃদ্ধি; ছবির উত্পন্ন ক্যারিয়ারের সংগ্রহের হার বাড়ানোর জন্য পিএন জংশনের এলাকা বৃদ্ধি পায়, শর্ট-সার্কিট বর্তমান 5% থেকে 10% বৃদ্ধি করে এবং ব্যাটারিটির লাল আলো প্রতিক্রিয়া উন্নত করে।

সৌর কোষের ছায়া প্রভাব:

ছায়া অবরোধ, ইত্যাদি কারণে সৌর কোষ অসম্মানিতভাবে আলোকিত হবে এবং আউটপুট শক্তিটি হ্রাস পাবে।

বর্তমানে, সৌর কোষগুলির প্রয়োগ শিল্প, বাণিজ্যিক, কৃষি, যোগাযোগ, এবং পাবলিক ইউটিলিটি সেক্টর সামরিক ও মহাকাশ সেক্টর থেকে প্রবেশ করেছে। বিশেষত, দূরবর্তী এলাকায়, পাহাড়, মরুভূমি, দ্বীপ এবং গ্রামীণ এলাকাগুলিতে এটি ব্যয়বহুল মূল্যগুলি সংরক্ষণ করতে ব্যবহার করা যেতে পারে। পরিচলন রেখা. কিন্তু বর্তমান পর্যায়ে, তার খরচ এখনও খুব উচ্চ। 1 কিলোওয়াট বিদ্যুৎ পাঠাতে হাজার হাজার ডলার লাগে, তাই বড় আকারের ব্যবহার এখনও অর্থনৈতিক সীমাবদ্ধতার সাপেক্ষে।

যাইহোক, দীর্ঘদিন ধরে, সৌর সেল উত্পাদন প্রযুক্তির উন্নতি এবং নতুন অপটিক্যাল-বৈদ্যুতিক রূপান্তর যন্ত্র আবিষ্কারের সাথে পরিবেশের সুরক্ষা এবং পুনরুত্পাদনযোগ্য পরিচ্ছন্ন শক্তি, সৌর কোষগুলির বিশাল চাহিদা এখনও সৌর বিকিরণের সাথে তুলনা করা হবে। কাটা পদ্ধতিটি মানুষের দ্বারা বড় আকারে মানুষের দ্বারা সৌর শক্তির ভবিষ্যত ব্যবহারের জন্য বিস্তৃত সম্ভাবনাগুলি খুলতে পারে।